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TPD3215M 零件图片（仅供参考）

TPD3215M

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TPD3215M 规格参数

型号:TPD3215M
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:模块
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
技术:GaNFET（氮化镓）
配置:2 个 N 通道（半桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260pF @ 100V
功率 - 最大值:470W
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
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TPD3215M 基本参数：

电子零件型号：TPD3215M
原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
技术标准参数：MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
点击此处查询TPD3215M的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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