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TP65H300G4LSGB-TR 零件图片（仅供参考）

TP65H300G4LSGB-TR
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TP65H300G4LSGB-TR 规格参数

  • 型号:TP65H300G4LSGB-TR
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-PQFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:312 毫欧 @ 6.5A，6V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 500A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:21W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-PQFN（8x8）
  • 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
  • TP65H300G4LSGB-TR，IDT产品一站式供应商。
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TP65H300G4LSGB-TR 基本参数：

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