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TP65H050WS 零件图片（仅供参考）

TP65H050WS

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TP65H050WS 规格参数

型号:TP65H050WS
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 700A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:119W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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TP65H050WS 基本参数：

电子零件型号：TP65H050WS
原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
技术标准参数：GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询TP65H050WS的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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