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RJK60S8DPK-M0#T0 零件图片（仅供参考）

RJK60S8DPK-M0#T0
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RJK60S8DPK-M0#T0 规格参数

  • Renesas瑞萨完整型号：RJK60S8DPK-M0#T0
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：超级结
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 27.5A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：416.6W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3PSG
  • 供应商器件封装：TO-3PSG
  • RJK60S8DPK-M0#T0，IDT产品一站式供应商。
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RJK60S8DPK-M0#T0 基本参数：

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