RBK04U04GNS-0000#HBH 零件图片（仅供参考）
RBK04U04GNS-0000#HBH 规格参数
- 型号:RBK04U04GNS-0000#HBH
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-HSON（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:POWER TRS2 LIB 8P HVSON ANL4 OTH
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:111nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6900pF @ 10V
- 功率 - 最大值:83W（Tc）
- 工作温度:150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-HSON（5x6）
- RBK04U04GNS-0000#HBH，IDT产品一站式供应商。
