RBA175N08EANS-4UA02#HB0 零件图片（仅供参考）
RBA175N08EANS-4UA02#HB0 规格参数
- 型号:RBA175N08EANS-4UA02#HB0
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-DFN（4.9x5.75）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:POWER:POWER MOSFETS
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):175A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 88A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 109A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6900 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:165W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN（4.9x5.75）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- RBA175N08EANS-4UA02#HB0，IDT产品一站式供应商。
