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NP32N055SDE-E1-AY 零件图片（仅供参考）

NP32N055SDE-E1-AY
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NP32N055SDE-E1-AY 规格参数

  • Renesas瑞萨完整型号：NP32N055SDE-E1-AY
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：TO-252（MP-3ZK）
  • NP32N055SDE-E1-AY，IDT产品一站式供应商。
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NP32N055SDE-E1-AY 基本参数：

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