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HZS11NB3TD-E 零件图片（仅供参考）

HZS11NB3TD-E
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HZS11NB3TD-E 规格参数

  • 型号:HZS11NB3TD-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 0.4W
  • 系列:*
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗（最大值）(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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HZS11NB3TD-E 基本参数：

  • 电子零件型号：HZS11NB3TD-E
  • 原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
  • 技术标准参数：DIODE ZENER 0.4W
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 点击此处查询HZS11NB3TD-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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