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HZ6B2L-E 零件图片（仅供参考）

HZ6B2L-E
IDT 订单到达，马上发货

HZ6B2L-E 规格参数

  • 型号:HZ6B2L-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):6.2 V
  • 容差:±2.42%
  • 功率 - 最大值:400 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • HZ6B2L-E，IDT产品一站式供应商。
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HZ6B2L-E 基本参数：

  • 电子零件型号：HZ6B2L-E
  • 原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
  • 技术标准参数：DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 点击此处查询HZ6B2L-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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