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HSG1002VE-TL-E 零件图片（仅供参考）

HSG1002VE-TL-E
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HSG1002VE-TL-E 规格参数

  • 型号:HSG1002VE-TL-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:4-MFPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 3.5V 38GHZ 4-MFPAK
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V
  • 频率 - 跃迁:38GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 增益:8dB ~ 19.5dB
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 5mA，2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35mA
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-SMD，鸥翼
  • 供应商器件封装:4-MFPAK
  • HSG1002VE-TL-E，IDT产品一站式供应商。
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HSG1002VE-TL-E 基本参数：

  • 电子零件型号：HSG1002VE-TL-E
  • 原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
  • 技术标准参数：RF TRANS NPN 3.5V 38GHZ 4-MFPAK
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
  • 点击此处查询HSG1002VE-TL-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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