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HAT2184WP-EL-E 零件图片（仅供参考）

HAT2184WP-EL-E

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HAT2184WP-EL-E 规格参数

型号:HAT2184WP-EL-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:8-WPAK（3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:NCH PWR MOSFET 150V 14A 110MOHM
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-WPAK（3）
封装/外壳:8-PowerWDFN
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HAT2184WP-EL-E 基本参数：

电子零件型号：HAT2184WP-EL-E
原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
技术标准参数：NCH PWR MOSFET 150V 14A 110MOHM
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询HAT2184WP-EL-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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