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HAT2173N 零件图片（仅供参考）

HAT2173N

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HAT2173N 规格参数

Renesas瑞萨完整型号：HAT2173N
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15.3 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
供应商器件封装：8-LFPAK-iV
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HAT2173N 基本参数：

电子零件型号：HAT2173N
原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
产品应用分类：单端场效应管
点击此处查询HAT2173N的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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