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HAT2173N-EL-E 零件图片（仅供参考）

HAT2173N-EL-E
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HAT2173N-EL-E 规格参数

  • Renesas瑞萨完整型号：HAT2173N-EL-E
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15.3 毫欧 @ 12.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：30W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
  • 供应商器件封装：8-LFPAK-iV
  • HAT2173N-EL-E，IDT产品一站式供应商。
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HAT2173N-EL-E 基本参数：

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