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HAT1091C-EL-E 零件图片（仅供参考）

HAT1091C-EL-E

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HAT1091C-EL-E 规格参数

型号:HAT1091C-EL-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:6-CMFPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:830mW（Ta）
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:6-CMFPAK
封装/外壳:6-SMD，扁平引线
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HAT1091C-EL-E 基本参数：

电子零件型号：HAT1091C-EL-E
原始制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
技术标准参数：HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询HAT1091C-EL-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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